A new spin on the MOSFET
A new spin on the MOSFET
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MOSFET 的新发展
DOI：
10.1049/el.2011.2623
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发表时间：
2011
影响因子：
1.1
通讯作者：
H. Dyball
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Dyball
日本研究人员表示，使用基于“伪自旋MOSFET”（PMOSFET）的新型非易失性触发器设计，可以实现超越传统CMOS技术的高效功率门控系统。非易失性触发器架构比使用普通触发器的其他备用架构更快且使用更少的功率，并且与现有CMOS制造和电路技术兼容。
Highly efficient power-gating systems beyond conventional CMOS technology could be realised using a new non-volatile flip-flop design based on a ‘pseudo-spin-MOSFET’ (PSMOSFET), researchers in Japan have shown. The non-volatile flip-flop architecture is faster and uses less power than other backup architectures using ordinary flip-flops, and is compatible with existing CMOS fabrication and circuit technologies.