Photoluminescence decay of 1.54 μm Er3+ emission in Si and III-V semiconductors
Photoluminescence decay of 1.54 μm Er3+ emission in Si and III-V semiconductors
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Si 和 III-V 半导体中 1.54 μm Er3+ 发射的光致发光衰减
DOI：
10.1049/el:19881025
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发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. S. Pomrenke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Klein;G. S. Pomrenke
已在各种 Si 和 III-V 半导体基质材料中研究了 1.54 μm Er3+ 发射的发光寿命。在所有主体中观察到的约 1 毫秒寿命表明，Er 发射主要是辐射性的，并表明 Er 可能是最适合设备应用的稀土掺杂剂。在某些生长条件下会出现额外的竞争性非辐射效应。
The luminescence lifetime of the 1.54 μm Er3+ emission has been studied in a variety of Si and III-V semiconductor host materials. The ≈1 millisecond lifetimes observed in all hosts indicate that the Er emission is largely radiative, and suggests that Er may be the rare earth dopant best suited for device applications. Additional competing nonradiative effects are seen to appear for certain growth conditions.