SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
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SiC 表面形成的单光子源的氧化物厚度依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
常見 大貴，佐藤 真一郎，山﨑 雄一，牧野 高絋，土方 泰斗，大島 武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaki Nakano;Yu Chikuba;Dai Shimizu;Akihiro Yamashita;Takeshi Yanai;H. Fukunaga;常見 大貴，佐藤 真一郎，山﨑 雄一，牧野 高絋，土方 泰斗，大島 武
