Comparative study of Weyl semimetal and topological/Chern insulators: bulk-edge correspondence and disorder effects
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韦尔半金属和拓扑/陈绝缘体的比较研究：体边对应和无序效应
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ohtsuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.-I. Imura;Y. Yoshimura;K. Kobayashi;T. Ohtsuki
