MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能

MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
发光学报
影响因子:
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通讯作者:
张宝林
张宝林
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
史志锋;杜国同;伍斌;蔡旭浦;张金香;王辉;王瑾;夏晓川;董鑫;张宝林

文献摘要

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