3端子容量－電圧測定によるペンタセン有機電界効果トランジスタのトラップ形成過程の評価
3端子容量－電圧測定によるペンタセン有機電界効果トランジスタのトラップ形成過程の評価
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使用三端子电容电压测量评估并五苯有机场效应晶体管中的陷阱形成过程
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中有弥，山本紘平，野口裕，石井 久夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
星野弘行;坂本広太;林 史夫;花屋 実;園山正史;茂木俊憲;田中有弥，山本紘平，野口裕，石井 久夫
