Yukari Ishikawa: "Creation of highly-ordered Si nanocrystal dots suspended in SiO2 by molecular beam epitaxy with low energy oxygen implantation" Jpn.J.Appl.Phys.(掲載予定). (1997)
Yukari Ishikawa: "Creation of highly-ordered Si nanocrystal dots suspended in SiO2 by molecular beam epitaxy with low energy oxygen implantation" Jpn.J.Appl.Phys.(掲載予定). (1997)
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Yukari Ishikawa：“通过低能氧注入的分子束外延法制备悬浮在 SiO2 中的高度有序的硅纳米晶体点”Jpn.J.Appl.Phys（即将出版）。
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