Characterization of MOS interfaces based on GaN-related heterostructures
Characterization of MOS interfaces based on GaN-related heterostructures
复制标题
基于 GaN 相关异质结构的 MOS 界面表征
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Z. Yatabe and T. Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hori;Z. Yatabe and T. Hashizume
