Impacts of an Asymmetric Stack Structure in TaOx-Based ReRAM Cells on Resistive Switching Characteristics
Impacts of an Asymmetric Stack Structure in TaOx-Based ReRAM Cells on Resistive Switching Characteristics
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TaOx 基 ReRAM 单元中不对称堆叠结构对阻变特性的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshiki Miyatani;Yusuke Nishi;Tsunenobu Kimoto
