Organic Field-Effect Transistors Using Di(2-thienyl)naphthodithiophenes as Active Layers.
Organic Field-Effect Transistors Using Di(2-thienyl)naphthodithiophenes as Active Layers.
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使用二（2-噻吩基）萘并二噻吩作为有源层的有机场效应晶体管。
DOI：
10.1246/cl.2002.958
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发表时间：
2002
影响因子：
1.6
通讯作者：
T. Otsubo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Kunugi;K. Takimiya;K. Yamashita;Y. Aso;T. Otsubo
两种异构二（2-噻吩基）萘并二噻吩（反 DThNDT 和顺 DThNDT）已被研究作为有机场效应晶体管 (FET) 的活性材料。 anti-DThNDT 薄膜获得了 2–3×10−4 cm2 V−1 s−1 的场效应迁移率，而 syn-DThNDT 薄膜没有观察到明显的 FET 功能。
Two isomeric di(2-thienyl)naphthodithiophenes, anti- and syn-DThNDTs, have been investigated as active materials of organic field-effect transistors (FETs). Field-effect mobilities of 2–3×10−4 cm2 V−1 s−1 were obtained for the anti-DThNDT film, while no obvious FET function was observed with the syn-DThNDT film.
K.Takimiya：“两种异构萘二噻吩及其甲基、甲硫基和 2-噻吩基衍生物的合成、结构和性能；在导电电荷转移配合物和低带隙聚合物中的应用”化学会通报，
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