GaN bandgap bias caused by semi-core treatment in pseudopotentials analyzed by the diffusion Monte Carlo method
GaN bandgap bias caused by semi-core treatment in pseudopotentials analyzed by the diffusion Monte Carlo method
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通过扩散蒙特卡罗方法分析半芯处理引起的赝势中的 GaN 带隙偏差
DOI：
10.1063/5.0035047
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Maezono Ryo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nikaido Yutaka;Ichibha Tom;Nakano Kousuke;Hongo Kenta;Maezono Ryo
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