Schottky Barrier Height Tuning on Platinum-gated ZnO Metal-Semiconductor Field Effect Transistors by In-Situ Surface Modification
Schottky Barrier Height Tuning on Platinum-gated ZnO Metal-Semiconductor Field Effect Transistors by In-Situ Surface Modification
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通过原位表面改性对铂栅 ZnO 金属半导体场效应晶体管进行肖特基势垒高度调节
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Young, C. D.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rodriguez-Davila, R. A.;Chapman, R. A.;Mejia, I.;Quevedo-Lopez, M. A.;Young, C. D.
