AuGe-Alloy Source and Drain Formation by the Lift-Off Process for the Scaling of Bottom-Contact Type Pentacene-Based OFETs
AuGe-Alloy Source and Drain Formation by the Lift-Off Process for the Scaling of Bottom-Contact Type Pentacene-Based OFETs
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通过剥离工艺形成金锗合金源极和漏极，以缩小底部接触型并五苯基 OFET
DOI：
10.1587/transele.2018omp0008
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发表时间：
2019
影响因子：
0.5
通讯作者：
MAEDA Yasutaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
OHMI Shun-ichiro;HIROKI Mizuha;MAEDA Yasutaka
