Channel-Stress Study on Gate-Size Effects for Damascene-Gate p MOSFETs with Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe
Channel-Stress Study on Gate-Size Effects for Damascene-Gate p MOSFETs with Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe
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采用顶切压应力衬垫和 eSiGe 的镶嵌栅极 p MOSFET 的栅极尺寸效应的沟道应力研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Mayuzumi;A. Ogura;他
