酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜SiO2/GaN MOS構造の界面特性及び絶縁性向上
酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜SiO2/GaN MOS構造の界面特性及び絶縁性向上
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氧氢热处理改善溅射沉积SiO2/GaN MOS结构的界面性能和绝缘性能
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大西健太郎;小林拓真;溝端秀聡;野﨑幹人;吉越章隆;志村考功;渡部平司
