A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive
A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive
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数字有源栅极驱动抑制SiC MOSFET开关浪涌电压的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takashi Hikihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shuhei Fukunaga;Hajime Takayama;and Takashi Hikihara
