On the Band Alignment and Fermi Level Pinning at Compound Semiconductor Interfaces (invited)

On the Band Alignment and Fermi Level Pinning at Compound Semiconductor Interfaces (invited)
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化合物半导体界面的能带对准和费米能级钉扎(特邀)

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
Hyomen Kagaku Vol. 29, No. 2
影响因子:
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通讯作者:
H. Hasegawa
H. Hasegawa
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Yuichiro;Tanabe;吉永 耕二;鏡谷勇二;H. Hasegawa

文献摘要

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