Ge(lll)基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの製作
Ge(lll)基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの製作
复制标题
Ge(III)衬底上氟化物谐振隧道二极管的制备
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井一生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋慶太;横手義智;大下隆生;筒井一生
