Fabrication of ultra-low-density InAs quantum dots on InP(311)B substrates for telecom-band single-photon sources
Fabrication of ultra-low-density InAs quantum dots on InP(311)B substrates for telecom-band single-photon sources
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用于电信频段单光子源的 InP(311)B 衬底上超低密度 InAs 量子点的制备
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi Kanno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kouichi Akahane;Kiyora Kaneki;Atsushi Matsumoto;Toshimasa Umezawa;Naokatsu Yamamoto;Tomohiro Maeda;Hideyuki Sotobayashi;Yoriko Tominaga;Atsushi Kanno
