Identifying dislocations and stacking faults in GaN films by scanning transmission electron microscopy
Identifying dislocations and stacking faults in GaN films by scanning transmission electron microscopy
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通过扫描透射电子显微镜识别 GaN 薄膜中的位错和堆垛层错
DOI：
10.1088/2053-1591/3/8/086401
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发表时间：
2016-08
影响因子：
2.3
通讯作者：
Ke XU
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jicai Zhang;Jinping Zhang;Jianfeng Wang;Ke XU
环形亮场（ABF）和中等角度环形暗场（MAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）成像的晶体缺陷分析的应用程序已扩展到位错和堆垛层错（SF）。在带轴衍射和双光束衍射条件下对位错和SF进行了成像。与传统的双光束衍射衬度像相比，位错和SFs的ABF和MAADF像不仅在位错核和SFs面上具有互补对称的峰，而且还表现出类似的消光现象。结果表明，传统的透射电镜衍射衬度准则g · B和g · R不可见性准则仍然适用。利用零级劳厄带菊池衍射研究了ABF和MAADF STEM中位错和SFs的对比机制和消光。
The application of annular bright field (ABF) and medium-angle annular dark field (MAADF) scanning transmission electron microscopy (STEM) imaging to crystalline defect analysis has been extended to dislocations and stacking faults (SFs). Dislocations and SFs have been imaged under zone-axis and two-beam diffraction conditions. Comparing to conventional two-beam diffraction contrast images, the ABF and MAADF images of dislocations and SFs not only are complementary and symmetrical with their peaks at dislocation core and SFs plane, but also show similar extinction phenomenon. It is demonstrated that conventional TEM rules for diffraction contrast, i.e. g · b and g · R invisibility criteria remain applicable. The contrast mechanism and extinction of dislocation and SFs in ABF and MAADF STEM are illuminated by zero-order Laue zone Kikuchi diffraction.
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