S.Nishino, C.Jacob, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Masuda: "Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates"J. Crystal Growth. 1250-1253 (2002)
S.Nishino, C.Jacob, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Masuda: "Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates"J. Crystal Growth. 1250-1253 (2002)
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S.Nishino、C.Jacob、Y.Okui、S.Ohshima、Y.Masuda：“图案化 Si(111) 基板上 3C-SiC 的横向过度生长”J。
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