Determination of strain-induced valence-band splitting in GaAsN thin films from circularly polarized photoluminescence
Determination of strain-induced valence-band splitting in GaAsN thin films from circularly polarized photoluminescence
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利用圆偏振光致发光测定 GaAsN 薄膜中应变引起的价带分裂
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Yu.Egorov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Kanno;M.Ikezawa;K.Bando;A.Kanno;M.Ikezawa;K.Bando;K.Bando;Y.Masumoto;M.Ikezawa;V.K.Kalevich;Y.Chen;P.-F.Braun;V.K.Kalevich;A.V.Maleev;Y.Masumoto;M.Ikezawa;P.-F.Braun;I.V.Ignatiev;I.Ya.Gerlovin;M.Ikezawa;M.Ikezawa;T.Okuno;H.Bando;A.Yu.Egorov
