Optimized Oxygen Annealing Process for Vth Tuning of p-MOSFET with High-k/Metal Gate Stacks
Optimized Oxygen Annealing Process for Vth Tuning of p-MOSFET with High-k/Metal Gate Stacks
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用于具有高 k/金属栅极堆栈的 p-MOSFET Vth 调节的优化氧退火工艺
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takamasa Kawanago
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ishikawa;M;Ogawa;O.N.;Ohkouchi;N.;Kase;T.;石川牧子・加瀬友喜;高橋昭紀・石川牧子・本田恵理・平野弘道;Takamasa Kawanago;Takamasa Kawanago;川那子高暢;Takamasa Kawanago
