Alternately-double-sided growth of low curvature GaN templates on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy
Alternately-double-sided growth of low curvature GaN templates on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy
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氢化物气相外延在蓝宝石衬底上交替双面生长低曲率GaN模板
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
2.3
通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Okada;T. Yamamoto;H. Ihara;K. Yamane;K. Tadatomo
