Y. Furukawa, H. Yonezu, K. Ojima, K. Samonji, Y. Fujimoto, K. Momose and K. Aiki: "Control of N Content of GaPN Grown by Molecular Beam Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(1OO) Substrate"Jpn. J. Appl. Phys. Vol.41-No.2A. 528-532 (2002)
Y. Furukawa, H. Yonezu, K. Ojima, K. Samonji, Y. Fujimoto, K. Momose and K. Aiki: "Control of N Content of GaPN Grown by Molecular Beam Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(1OO) Substrate"Jpn. J. Appl. Phys. Vol.41-No.2A. 528-532 (2002)
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Y. Furukawa、H. Yonezu、K. Ojima、K. Samonji、Y. Fujimoto、K. Momose 和 K. Aiki：“通过分子束外延生长的 GaPN 的 N 含量控制以及与 Si 匹配的 GaPN 晶格的生长（
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