Ensemble Monte Carlo simulation of sub-0.1μm gate length GaAs MESFETs
Ensemble Monte Carlo simulation of sub-0.1μm gate length GaAs MESFETs
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亚 0.1μm 栅极长度 GaAs MESFET 的整体蒙特卡罗模拟
DOI：
10.1016/0038-1101(89)90325-0
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发表时间：
1989
影响因子：
1.7
通讯作者：
K. Hess
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kuzuhara;T. Itoh;K. Hess
