Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells
Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells
复制标题
Si/SiGe 量子阱中谷分裂的阱宽依赖性
DOI：
10.1063/1.3270539
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发表时间：
2009
影响因子：
4
通讯作者：
and T. Okamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sasaki;R. Masutomi;K. Toyama;K. Sawano;Y. Shiraki;and T. Okamoto
