Optical Band Gap of a New Filled Tetrahedral Semiconductor Li_3AlN_2

Optical Band Gap of a New Filled Tetrahedral Semiconductor Li_3AlN_2
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新型填充四面体半导体Li_3AlN_2的光学带隙

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Physics of Semiconductors, 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 722・
影响因子：
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通讯作者：
K.Kuriyama
K.Kuriyama
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Kushida;Y.Kaneko;K.Kuriyama

文献摘要

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