Comprehensive SRAM design methodology for RTN reliability
Comprehensive SRAM design methodology for RTN reliability
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实现 RTN 可靠性的综合 SRAM 设计方法
DOI：
10.1109/led.2012.2188268
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hase
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takeuchi;T. Nagumo;T. Hase
在本文中，一个全面的设计流程，实现可靠的SRAM对随机电报噪声（RTN）。RTN幅值分布的拖尾信息对于保护带设计是非常重要的，可以直接从SRAM测试结果中提取。蒙特卡罗模拟与测量结果吻合良好，可用于详细设计。还提出了一种简单的外推方法，可以直观地了解RTN的长期影响。
In this paper, a comprehensive design flow for achieving reliable SRAMs against random telegraph noise (RTN) is presented. The tailing information of RTN amplitude distributions is important for guardbanding, and can be directly extracted from SRAM test results. Monte Carlo simulation is in excellent agreement with the measurements, and can be used for detailed design. A simple extrapolation method for intuitive understanding of long term RTN impact is also proposed.