In situ characterization of the growing a-Si:H surface by IR spectroscopy
In situ characterization of the growing a-Si:H surface by IR spectroscopy
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通过红外光谱对生长的 a-Si:H 表面进行原位表征
DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80233-9
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发表时间：
1991
影响因子：
3.5
通讯作者：
Kazunobu Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Toyoshima;K. Arai;A. Matsuda;Kazunobu Tanaka
通过使用实时原位红外反射吸收光谱 (IRRAS) 研究辉光放电反应器中生长的 a-Si:H 薄膜的表面氢。表面氢化物的主要键合构型的温度依赖性是在拉伸模式的振动谱中确定的。低于 380° C 的温度下的积分吸收强度几乎保持恒定，并且对应于氢对生长表面的单层覆盖。
The surface hydrogen on the growing a-Si:H film in a glow discharge reactor is investigated by using real time in-situ infrared reflection absorption spectroscopy (IRRAS). The temperature dependence of the dominant bonding configuration for the surface hydrides is determined in the vibrational spectra of stretching modes. The integrated absorption intensities at temperatures below 380° C remain almost constant and correspond to the monolayer coverage of the growing surface by hydrogen.