Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors
Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors
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使用自组装单层材料选择性金属去除和 MoS2 场效应晶体管中的超薄栅极电介质
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shunri Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wanjing Du;Takamasa Kawanago;and Shunri Oda
