High-speed InGaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistor with composition graded base and InAs emitter contact layers
High-speed InGaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistor with composition graded base and InAs emitter contact layers
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具有成分渐变基极和 InAs 发射极接触层的高速 InGaAsSb/InP 双异质结双极晶体管
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.143
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Cheng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bing;W. Snodgrass;M. Feng;K. Cheng
