Energy state distributions at oxide–semiconductor interfaces investigated by Laplace DLTS
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通过拉普拉斯 DLTS 研究氧化物-半导体界面的能态分布
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Peaker
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Dobaczewski;V. Markevich;P. Kruszewski;I. Hawkins;A. Peaker
