Parasitic current characteristics of a MOSFET with a Si-implanted gate-SiO2
Parasitic current characteristics of a MOSFET with a Si-implanted gate-SiO2
复制标题
硅注入栅极-SiO2 MOSFET的寄生电流特性
DOI：
10.1016/0038-1101(94)00244-a
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发表时间：
1995
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohzone;A. Michii;T. Hori
