PCMOによる抵抗変化型メモリのパルス測定評価
PCMOによる抵抗変化型メモリのパルス測定評価
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使用 PCMO 进行电阻变化存储器的脉冲测量评估
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
近藤洋史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;徳田良平;有田正志;藤井孝史;高橋庸夫;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;木下恭一;曹民圭;雨宮好仁;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;若杉恭平;曹民圭;曹民圭;有田正志;開澤拓弥;高橋庸夫;笹川芳晃;近藤洋史
