分子線エピタキシー法によるGaP基板上のZnSTe成長層の構造的評価
分子線エピタキシー法によるGaP基板上のZnSTe成長層の構造的評価
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分子束外延法评估GaP衬底上ZnSTe生长层的结构
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ichino;S. Kashiyama;N. Nanba;H. Hasegawa;and T. Abe;樫山翔太，難波直，長谷川浩康，阿部友紀，市野邦男
