Bipolar resistive switching memory using bilayer TaOx/WOx films
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DOI：
10.1016/j.sse.2012.05.028
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发表时间：
2012-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
A. Prakash;S. Maikap;Chao‐Sung Lai;T. Tien;Weisu Chen;Heng-Yuan Lee;F. Chen;M. Kao;M. Tsai-M.-T
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Prakash;S. Maikap;Chao‐Sung Lai;T. Tien;Weisu Chen;Heng-Yuan Lee;F. Chen;M. Kao;M. Tsai-M.-T
