Realization of p-type conduction in Mg-doped N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Realization of p-type conduction in Mg-doped N-polar (000-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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有机金属气相外延生长的Mg掺杂N极(000-1)GaN中p型导电的实现
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanikawa;J. H. Choi;K. Shojiki;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
