An Accurate Model of Fully-Depleted Surrounding Gate Transistor (FD-SGT)
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DOI：
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发表时间：
1997-07
影响因子：
0.5
通讯作者：
T. Endoh;Tairiku Nakamura;F. Masuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Endoh;Tairiku Nakamura;F. Masuoka
