An Universal Parameter Showing SiO2/SiC Interface Quality of Both Silicon and Carbon-face based on Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
An Universal Parameter Showing SiO2/SiC Interface Quality of Both Silicon and Carbon-face based on Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
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基于扫描非线性介电显微镜的显示硅面和碳面 SiO2/SiC 界面质量的通用参数
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yasuo Cho
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Norimichi Chinone;Alpana Nayak;Ryoji Kosugi ,Yasunori Tanaka;Shinsuke Harada;Yuji Kiuchi;Hajime Okumura;and Yasuo Cho
