Advanced thermal simulation of SiGe: C HBTs including back-end-of-line
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DOI：
10.1016/j.microrel.2016.06.005
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发表时间：
2016-12
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;L. Codecasa;N. Rinaldi;K. Aufinger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;L. Codecasa;N. Rinaldi;K. Aufinger
