Effect of boron dopant of Si (001) substrates on growth of Ge layers using sputter epitaxy method
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Si(001)衬底硼掺杂剂对溅射外延法生长Ge层的影响
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tsukamoto;A. Kasamatsu;N. Hirose;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
