MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface
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用于平面界面的小切边基板上 N 极 GaN/AlxGa1-xN/GaN 异质结构的 MOVPE 生长
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Prasertsuk;S. Tanaka;T. Tanikawa;K. Shojiki;T. Kimura;A. Miura;R. Nonoda;F. Hemmi;S. Kuboya;R. Katayama;T. Suemitsu;and T. Matsuoka
