擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFETの準解析的モデル提案
擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFETの準解析的モデル提案
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提出使用赝磁场效应的应变石墨烯 FET 准解析模型
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
上山 真之，笹岡 健二，小川 真人，相馬 聡文
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Mehdipour;K.Sasaoka;M. Ogawa;S. Souma;田中 未来，笹岡 健二，小川 真人，相馬 聡文;上山 真之，笹岡 健二，小川 真人，相馬 聡文
