Stacking Mismatch Boundaries in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001)Vicinal Substrates with 3-Bilayer-Height Steps by Molecular-Beam Epitaxy
Stacking Mismatch Boundaries in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001)Vicinal Substrates with 3-Bilayer-Height Steps by Molecular-Beam Epitaxy
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通过分子束外延在 6H-SiC(0001) 邻位衬底上生长的 3 双层高度台阶的 2H-AlN 中的堆叠失配边界
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Okumura;M.Horita;T.Kimoto;J.Suda
