Incorporation of boron and vanadium during PVT growth of 6H-SiC crystals
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DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01579-2
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发表时间：
2001-11
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Bickermann;B. Epelbaum;D. Hofmann;T. Straubinger;R. Weingärtner;A. Winnacker
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Bickermann;B. Epelbaum;D. Hofmann;T. Straubinger;R. Weingärtner;A. Winnacker
