E.Tokumitsu,D.Takahashi and H.Ishiwara: "Characterization of Metal-Ferroelectric-(Metal-) Insulator-Semiconductor (MF(M)IS) Structures Usins (Pb,La)(Zr,Ti)O_3 and Y_2O_3 Films"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39 Part 1,No.9B. 5456-5459 (2000)
E.Tokumitsu,D.Takahashi and H.Ishiwara: "Characterization of Metal-Ferroelectric-(Metal-) Insulator-Semiconductor (MF(M)IS) Structures Usins (Pb,La)(Zr,Ti)O_3 and Y_2O_3 Films"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39 Part 1,No.9B. 5456-5459 (2000)
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E.Tokumitsu、D.Takahashi 和 H.Ishiwara：“使用 (Pb,La)(Zr,Ti)O_3 和 Y_2O_3 薄膜表征金属-铁电-(金属-)绝缘体-半导体 (MF(M)IS) 结构”
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