Significantly Improved Performance of a Conducting-bridge Random Access Memory (CB-RAM) Device Using Copper-containing Glyme Salt,
Significantly Improved Performance of a Conducting-bridge Random Access Memory (CB-RAM) Device Using Copper-containing Glyme Salt,
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使用含铜甘醇二甲醚盐显着提高导电桥随机存取存储器（CB-RAM）器件的性能，
DOI：
10.1246/cl.170854
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamaoka;H.; Yamashita;T.; Harada;A.; Sakaguchi;A.; Kinoshita;K.; Kishida;S.; Hayase;S.; Nokami;T.; Itoh;T.
