High density carrier doping for wide gap oxide semiconductors by an electric double layer transistor
High density carrier doping for wide gap oxide semiconductors by an electric double layer transistor
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双电层晶体管对宽禁带氧化物半导体的高密度载流子掺杂
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazunori Ueno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石川遼子;久保雅仁;成影典之;鹿野良平;原弘久;篠田一也;末松芳法;石川真之介;吉田正樹;McKenzie;D.;Kobayashi;K.;Rachmeler;L.;Auchere;F.;Trujillo Bueno;J.;CLASP1 & 2 team;Kazunori Ueno
