Current Status of Crystal Growth Experiment of InGaSb Alloy Semiconductor in ISS
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国际空间站InGaSb合金半导体晶体生长实验现状
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
a
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuko Inatomi;Kaoruho Sakata;Yasuhiro Hayakawa;Takehiko Ishikawa;Mukannan Arivanandhan;Govindasamy Rajesh;Tadanobu Koyama;Yoshimi Momose;Krishnasamy Sankaranarayanan;Akira Tanaka;Tetsuo Ozawa;Yasunori Okano;Masahiro Takayanagi;Shinichi Yoda;a
